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Módulo del poder más elevado IGBT de Infineon para la locomotora eléctrica BSM75GB120DN2

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Módulo del poder más elevado IGBT de Infineon para la locomotora eléctrica BSM75GB120DN2

China Módulo del poder más elevado IGBT de Infineon para la locomotora eléctrica BSM75GB120DN2 proveedor

Ampliación de imagen :  Módulo del poder más elevado IGBT de Infineon para la locomotora eléctrica BSM75GB120DN2

Datos del producto:

Lugar de origen: Alemania
Nombre de la marca: Infineon
Certificación: ROHS,CE,UL,CCC,VDE
Número de modelo: BSM75GB120DN2

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Embalaje original con el buen material de la protección
Tiempo de entrega: 0-2 días
Condiciones de pago: Western Union, T/T, L/C, Paypal
Capacidad de la fuente: día 5000e
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Descripción detallada del producto
Aplicación: Locomotora eléctrica Número de artículo alterno: BSM75GB12ODN2
Condición: Nuevo Garantía: Un año
Nombre del producto: Transistores

Módulo de poder de Infineon IGBT BSM75GB120DN2 o BSM75GB12ODN2

BSM75GB120DN2

 

 

Descripción de producto

 

Fabricación: INFINEON TECHNOLOGIES

Tipo de módulo: IGBT

Estructura del semiconductor: Transistor

Topología: Semipuente de IGBT

Del voltaje del estado máximo: 600V

Corriente de colector: 75A

Poder: 625W

Corriente de impulso delantera máxima: 150A

Caso: AG-34MM-1

Montaje eléctrico: tornillo

Montaje: tornillo

Temperatura de funcionamiento: -40… 125°C

Puerta - voltaje del emisor: ±20V

Número de artículo: BSM75GB120DN2

Categoría del artículo: Transistores

Subcategoría: IGBTs

Tipo: Dual

Vces: 1.200 voltios de DC

Ic: 75 amperios

Vges +/-: 20

Hiela máximo: 1,5 miliamperios

Iges máximo: 0,32 microamperios

Vge (th) mínimo/máximo: 6,5 voltios

Vce (sentado) máximo: 3 voltios

Altura (milímetro): 30,5

Anchura (milímetro): 94

Profundidad (milímetro): 34

H x W x D: 1,2 en x 3,7 en x 1,34 adentro

Peso neto: 8,8175 ONZAS

Peso bruto: 5,6 ONZAS

 

Detalles del producto

 

Módulos de IGBT, Infineon

La gama de Infineon de módulos de IGBT ofrece la pérdida baja de la transferencia para cambiar frecuencias de hasta 60 kilociclos.
El transistor de la puerta o el IGBT bipolar aislado es un dispositivo de semiconductor del poder del tres-terminal, conocido para la eficacia alta y la transferencia rápida. El palmo de IGBTs sobre una gama de módulos de poder le gustan los paquetes con voltaje del emisor del colector en 1200V, módulos de ECONOPACK del interruptor del semipuente de PrimePACK IGBT con NTC hasta 1600/1700V. El IGBT combina las características simples de la puerta-impulsión de los MOSFETs con la capacidad de gran intensidad y del bajo-saturación-voltaje de transistores bipolares combinando un FET aislado de la puerta para la entrada de control, y un transistor de poder bipolar como interruptor, en un solo dispositivo. El PrimePACK IGBT se puede encontrar en industrial, comercial, la construcción y vehículos agrícolas. El canal N TRENCHSTOP TM y los módulos de Fieldstop IGBT son convenientes para la transferencia dura y los usos suaves de la transferencia tales como inversores, UPS e impulsiones industriales.

 

 

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F&A

 

Q: ¿Usted proporciona la garantía para las mercancías?
A: Sí, proporcionamos la garantía para todas las mercancías de nosotros.

 

Q: ¿Usted ayudará a resolver problemas después de venta?
A: Proporcionamos el mejor servicio a los clientes y estaremos alegres ofrecer cualquier ayuda.


Módulo del poder más elevado IGBT de Infineon para la locomotora eléctrica BSM75GB120DN2

 

Contacto
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Persona de Contacto: Ms. Amy

Teléfono: +86 18620505228

Fax: 86-20-55365252

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